SCT2750NYTB

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

SICFET N-CH 1700V 5.9A TO268

НОВА часть #:

312-2263409-SCT2750NYTB

Производитель:

Номер детали производителя:

SCT2750NYTB

Стандартный пакет:

400

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 1700 V 5.9A (Tc) 57W (Tc) Surface Mount TO-268

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Rohm Semiconductor
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-268
Базовый номер продукта	SCT2750
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	5.9A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	975mOhm @ 1.7A, 18V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 630µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	17 nC @ 18 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
VGS (макс.)	+22V, -6V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	1700 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	275 pF @ 800 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	57W (Tc)
Другие имена	SCT2750NYTBDKR SCT2750NYTBTR SCT2750NYTBCT