IXTA1N200P3HV

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 2000V 1A TO263

НОВА часть #:

312-2361358-IXTA1N200P3HV

Производитель:

Номер детали производителя:

IXTA1N200P3HV

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 2000 V 1A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-263AA

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	IXYS
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-263AA
Базовый номер продукта	IXTA1
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Polar P3™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	1A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	23.5 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	2000 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	646 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	125W (Tc)