FQD2N100TM

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 1000V 1.6A DPAK

НОВА часть #:

312-2280525-FQD2N100TM

Производитель:

Номер детали производителя:

FQD2N100TM

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 1000 V 1.6A (Tc) 2.5W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount TO-252AA

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	onsemi
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-252AA
Базовый номер продукта	FQD2N100
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	QFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	1.6A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9Ohm @ 800mA, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	15.5 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±30V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	1000 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	520 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 50W (Tc)
Другие имена	FQD2N100TMTR FQD2N100TM-ND FQD2N100TMCT ONSONSFQD2N100TM 2156-FQD2N100TM-OS FQD2N100TMDKR