IMBG120R220M1HXTMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263

НОВА часть #:

312-2278612-IMBG120R220M1HXTMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IMBG120R220M1HXTMA1

Стандартный пакет:

1,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 1200 V 13A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-7-12
Базовый номер продукта	IMBG120
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Ряд	CoolSiC™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	294mOhm @ 4A, 18V
Vgs(th) (макс.) @ Id	5.7V @ 1.6mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	9.4 nC @ 18 V
Полевой транзистор	Стандартный
Пакет/кейс	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
VGS (макс.)	+18V, -15V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	1200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	312 pF @ 800 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	83W (Tc)
Другие имена	448-IMBG120R220M1HXTMA1TR SP004463796 448-IMBG120R220M1HXTMA1CT 448-IMBG120R220M1HXTMA1DKR