G3R160MT17J

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

SIC MOSFET N-CH 22A TO263-7

НОВА часть #:

312-2289901-G3R160MT17J

Производитель:

Номер детали производителя:

G3R160MT17J

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 1700 V 22A (Tc) 187W (Tc) Surface Mount TO-263-7

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	GeneSiC Semiconductor
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	TO-263-7
Базовый номер продукта	G3R160
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Ряд	G3R™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	22A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	208mOhm @ 12A, 15V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.7V @ 5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	51 nC @ 15 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
VGS (макс.)	±15V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	1700 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1272 pF @ 1000 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	187W (Tc)
Другие имена	1242-G3R160MT17J