IMBG120R030M1HXTMA1

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SICFET N-CH 1.2KV 56A TO263

Número da pe?a NOVA:

312-2299892-IMBG120R030M1HXTMA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IMBG120R030M1HXTMA1

Embalagem padr?o:

1,000

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 1200 V 56A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO263-7-12
Número do produto base	IMBG120
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Series	CoolSiC™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	56A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	41mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 11.5mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	63 nC @ 18 V
Recurso FET	Standard
Pacote / Estojo	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs (Máx.)	+18V, -15V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	1200 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2290 pF @ 800 V
Dissipação de energia (máx.)	300W (Tc)
Outros nomes	448-IMBG120R030M1HXTMA1DKR 448-IMBG120R030M1HXTMA1CT 448-IMBG120R030M1HXTMA1TR SP004463784