C3M0032120J1

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1200V 32MOHM SIC MOSFET

Número da pe?a NOVA:

312-2313467-C3M0032120J1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

C3M0032120J1

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 1200 V 68A (Tc) 277W (Tc) Surface Mount TO-263-7

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Wolfspeed, Inc.
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	TO-263-7
Número do produto base	C3M0032120
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Series	C3M™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	68A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	43mOhm @ 41.4A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.6V @ 11.5mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	111 nC @ 15 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs (Máx.)	+15V, -4V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	1200 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	3424 pF @ 1000 V
Dissipação de energia (máx.)	277W (Tc)
Outros nomes	1697-C3M0032120J1TR -3312-C3M0032120J1CT 1697-C3M0032120J1CT -3312-C3M0032120J1TR-ND 1697-C3M0032120J1DKR -3312-C3M0032120J1DKR-ND -3312-C3M0032120J1DKR -3312-C3M0032120J1DKRINACTIVE -3312-C3M0032120J1TR