NTBG020N120SC1

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SICFET N-CH 1200V 8.6A/98A D2PAK

Número da pe?a NOVA:

312-2283949-NTBG020N120SC1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

NTBG020N120SC1

Embalagem padr?o:

800

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 1200 V 8.6A (Ta), 98A (Tc) 3.7W (Ta), 468W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	onsemi
RoHS	1
Embalagem	Tape & Reel (TR)
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor	D2PAK-7
Número do produto base	NTBG020
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Series	-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	8.6A (Ta), 98A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	28mOhm @ 60A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.3V @ 20mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	220 nC @ 20 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs (Máx.)	+25V, -15V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	1200 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2943 pF @ 800 V
Dissipação de energia (máx.)	3.7W (Ta), 468W (Tc)
Outros nomes	488-NTBG020N120SC1CT 488-NTBG020N120SC1DKR 488-NTBG020N120SC1TR