IMW120R030M1HXKSA1

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SICFET N-CH 1.2KV 56A TO247-3

Número da pe?a NOVA:

312-2283925-IMW120R030M1HXKSA1

Fabricante:

Número da pe?a do fabricante:

IMW120R030M1HXKSA1

Embalagem padr?o:

Ficha técnica:

Formato de download disponível

águia

Okad

Forro

Kikard

N-Channel 1200 V 56A (Tc) 227W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41

More Information
Categoria	Transistores - FETs, MOSFETs - Simples
Fabricante	Infineon Technologies
RoHS	1
Temperatura de operação	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor	PG-TO247-3-41
Número do produto base	IMW120
Tecnologia	SiCFET (Silicon Carbide)
Series	CoolSiC™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C	56A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)	15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	40mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 10mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs	63 nC @ 18 V
Recurso FET	-
Pacote / Estojo	TO-247-3
Vgs (Máx.)	+23V, -7V
Tipo FET	N-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)	1200 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds	2120 pF @ 800 V
Dissipação de energia (máx.)	227W (Tc)
Outros nomes	SP001727390