C3M0065090J

SICFET N-CH 900V 35A D2PAK-7
Número da pe?a NOVA:
312-2289912-C3M0065090J
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
C3M0065090J
Embalagem padr?o:
50
Ficha técnica:

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N-Channel 900 V 35A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount D2PAK-7

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteWolfspeed, Inc.
RoHS 1
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor D2PAK-7
Número do produto base C3M0065090
TecnologiaSiCFET (Silicon Carbide)
SeriesC3M™
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 35A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 78mOhm @ 20A, 15V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.1V @ 5mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 30 nC @ 15 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs (Máx.)+19V, -8V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)900 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 660 pF @ 600 V
Dissipação de energia (máx.) 113W (Tc)
Outros nomes-3312-C3M0065090J
1697-C3M0065090J
C3M0065090J-ND

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