TP65H035G4WSQA

650 V 46.5 GAN FET
NOVA-Teilenummer:
312-2299701-TP65H035G4WSQA
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TP65H035G4WSQA
Standardpaket:
30
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 650 V 47.2A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-3

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerTransphorm
RoHS 1
Betriebstemperatur -55°C ~ 175°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Gerätepaket des Lieferanten TO-247-3
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Serie*
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 47.2A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.8V @ 1mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 22 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/KofferTO-247-3
Vgs (Max)±20V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)650 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1500 pF @ 400 V
Verlustleistung (max.) 187W (Tc)
Andere Namen1707-TP65H035G4WSQA

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