TP65H050WS

GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
NOVA-Teilenummer:
312-2264999-TP65H050WS
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TP65H050WS
Standardpaket:
30
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 650 V 34A (Tc) 119W (Tc) Through Hole TO-247-3

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerTransphorm
RoHS 1
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartThrough Hole
Gerätepaket des Lieferanten TO-247-3
Basisproduktnummer TP65H050
TechnologieGaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Serie-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 34A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 60mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.8V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/KofferTO-247-3
Vgs (Max)±20V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)650 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 1000 pF @ 400 V
Verlustleistung (max.) 119W (Tc)

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