Altium Adler OrCad PADS KiCad 
TP65H015G5WS
650 V 95 A GAN FET
NOVA-Teilenummer:
312-2297731-TP65H015G5WS
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TP65H015G5WS
Standardpaket:
30
Technisches Datenblatt:
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N-Channel 650 V 93A (Tc) 266W (Tc) Through Hole TO-247-3
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | Transphorm | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Through Hole | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-247-3 | |
| Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Serie | SuperGaN™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 93A (Tc) | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 60A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 2mA | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 100 nC @ 10 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-247-3 | |
| Vgs (Max) | ±20V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 5218 pF @ 400 V | |
| Verlustleistung (max.) | 266W (Tc) | |
| Andere Namen | 1707-TP65H015G5WS |
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