TP65H480G4JSG-TR

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN

NOVA-Teilenummer:

312-2264341-TP65H480G4JSG-TR

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

TP65H480G4JSG-TR

Standardpaket:

500

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 650 V 3.6A (Tc) 13.2W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (5x6)

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Transphorm
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	3-PQFN (5x6)
Basisproduktnummer	TP65H480
Technologie	GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Serie	-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	3.6A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	560mOhm @ 3.4A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	9 nC @ 8 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	3-SMD, Flat Lead
Vgs (Max)	±18V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	760 pF @ 400 V
Verlustleistung (max.)	13.2W (Tc)
Andere Namen	1707-TP65H480G4JSG-TR 1707-TP65H480G4JSG-DKR 1707-TP65H480G4JSG-CT