TP65H070LDG

GANFET N-CH 650V 25A 3PQFN
NOVA-Teilenummer:
312-2264827-TP65H070LDG
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TP65H070LDG
Standardpaket:
60
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerTransphorm
RoHS 1
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten 3-PQFN (8x8)
Basisproduktnummer TP65H070
TechnologieGaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
SerieTP65H070L
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 25A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.8V @ 700µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/Koffer3-PowerDFN
Vgs (Max)±20V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)650 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 600 pF @ 400 V
Verlustleistung (max.) 96W (Tc)

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