Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
IGLD60R070D1AUMA1
GANFET N-CH 600V 15A LSON-8
НОВА часть #:
312-2278838-IGLD60R070D1AUMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IGLD60R070D1AUMA1
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 600 V 15A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-LSON-8-1 | |
| Базовый номер продукта | IGLD60 | |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Ряд | CoolGaN™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 15A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.6V @ 2.6mA | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-LDFN Exposed Pad | |
| VGS (макс.) | -10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 380 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 114W (Tc) | |
| Другие имена | SP001705420 IGLD60R070D1AUMA1DKR IGLD60R070D1AUMA1TR IGLD60R070D1AUMA1CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BSZ070N08LS5ATMA1Infineon Technologies
ACEFN103-HFComchip Technology
GAN063-650WSAQNexperia USA Inc.
EPC2010CEPC
NVTFS5116PLTAGonsemi
TP65H300G4LSGTransphorm
IGLD60R070D1AUMA3Infineon Technologies
IGT60R070D1ATMA1Infineon Technologies
