Альтиум Орел Оркад ПОДУШКИ Кикад 
GAN063-650WSAQ
GANFET N-CH 650V 34.5A TO247-3
НОВА часть #:
312-2289907-GAN063-650WSAQ
Производитель:
Номер детали производителя:
GAN063-650WSAQ
Стандартный пакет:
30
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 650 V 34.5A (Ta) 143W (Ta) Through Hole TO-247-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-247-3 | |
| Базовый номер продукта | GAN063 | |
| Технологии | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 34.5A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 25A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 15 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-247-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1000 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 143W (Ta) | |
| Другие имена | 1727-8711-6INACTIVE 1727-8711-1 1727-8711-2 GAN063-650WSA 1727-8711-6 1727-8711-6-ND 1727-8711-1INACTIVE 1727-8711-2-ND 1727-GAN063-650WSAQ 1727-8711-1-ND 934660022127 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
NV6113-RANavitas Semiconductor, Inc.
LMG3410R050RWHTTexas Instruments
TP65H015G5WSTransphorm
LMG1210RVRRTexas Instruments
MASTERGAN1STMicroelectronics- TP65H035G4WSTransphorm
TP90H050WSTransphorm
TP65H050WSTransphorm
G3R160MT12DGeneSiC Semiconductor
