Альтиум
Орел
Оркад
ПОДУШКИ
Кикад
IGT60R070D1ATMA1
GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF
НОВА часть #:
312-2273499-IGT60R070D1ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IGT60R070D1ATMA1
Стандартный пакет:
2,000
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-HSOF-8-3 | |
| Базовый номер продукта | IGT60R070 | |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Ряд | CoolGaN™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 31A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | - | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.6V @ 2.6mA | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-PowerSFN | |
| VGS (макс.) | -10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 380 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 125W (Tc) | |
| Другие имена | SP001300364 IGT60R070D1ATMA1DKR IGT60R070D1ATMA1CT IGT60R070D1ATMA1TR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
TP65H015G5WSTransphorm
BAT46WJ,115Nexperia USA Inc.
IGLD60R070D1AUMA1Infineon Technologies
GAN063-650WSAQNexperia USA Inc.
EPC8004EPC
GAN041-650WSBQNexperia USA Inc.
