Альтиум Орел Оркад ПОДУШКИ Кикад 
EPC2010C
GANFET N-CH 200V 22A DIE OUTLINE
НОВА часть #:
312-2263137-EPC2010C
Производитель:
Номер детали производителя:
EPC2010C
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
Доступный формат загрузки
Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 200 V 22A (Ta) - Surface Mount Die Outline (7-Solder Bar)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | EPC | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | Die Outline (7-Solder Bar) | |
| Базовый номер продукта | EPC2010 | |
| Технологии | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Ряд | eGaN® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 22A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25mOhm @ 12A, 5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 3mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5.3 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | Die | |
| VGS (макс.) | +6V, -4V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 540 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | - | |
| Другие имена | 917-1085-1 917-1085-2 917-1085-6 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
EPC2045EPC
PE29102A-XpSemi
EPC2019EPC
LMG1020YFFRTexas Instruments
EPC2207EPC
F381A106MMAAH1Kyocera AVX
LMG1210RVRRTexas Instruments
MBR2H200SFT1Gonsemi
FSV20120Vonsemi
EPC2012CEPC
EPC2016CEPC
UCC27611DRVTTexas Instruments
