BSC22DN20NS3GATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 200V 7A TDSON-8-5

НОВА часть #:

312-2280292-BSC22DN20NS3GATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

BSC22DN20NS3GATMA1

Стандартный пакет:

5,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 200 V 7A (Tc) 34W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-5

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8-5
Базовый номер продукта	BSC22DN20
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	7A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	225mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 13µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	5.6 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-PowerTDFN
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	430 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	34W (Tc)
Другие имена	BSC22DN20NS3G BSC22DN20NS3 GDKR-ND SP000781778 BSC22DN20NS3 GDKR BSC22DN20NS3GATMA1CT BSC22DN20NS3 GCT-ND BSC22DN20NS3GATMA1DKR BSC22DN20NS3GATMA1TR BSC22DN20NS3 G-ND BSC22DN20NS3 GTR-ND BSC22DN20NS3 GCT BSC22DN20NS3 G