IPD031N06L3GATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 60V 100A TO252-3

НОВА часть #:

312-2282988-IPD031N06L3GATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPD031N06L3GATMA1

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO252-3
Базовый номер продукта	IPD031
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	100A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.2V @ 93µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	79 nC @ 4.5 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	60 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	13000 pF @ 30 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	167W (Tc)
Другие имена	IPD031N06L3G IPD031N06L3 GTR-ND IPD031N06L3 GDKR IPD031N06L3 G-ND IPD031N06L3GATMA1TR IPD031N06L3 GCT-ND IPD031N06L3 G IPD031N06L3GATMA1DKR IPD031N06L3GATMA1CT SP000451076 IPD031N06L3 GCT IPD031N06L3 GDKR-ND