Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 200 V 11.3A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
Производитель | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Тип крепления | Surface Mount | |
Пакет устройств поставщика | PG-TSDSON-8 | |
Базовый номер продукта | BSZ12DN20 | |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
Ряд | OptiMOS™ | |
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 11.3A (Tc) | |
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 125mOhm @ 5.7A, 10V | |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 25µA | |
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 8.7 nC @ 10 V | |
Полевой транзистор | - | |
Пакет/кейс | 8-PowerTDFN | |
VGS (макс.) | ±20V | |
Тип полевого транзистора | N-Channel | |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 680 pF @ 100 V | |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 50W (Tc) | |
Другие имена | 2156-BSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GATMA1DKR BSZ12DN20NS3GATMA1TR BSZ12DN20NS3GCT IFEINFBSZ12DN20NS3GATMA1 BSZ12DN20NS3GDKR SP000781784 BSZ12DN20NS3GATMA1CT BSZ12DN20NS3G BSZ12DN20NS3GTR BSZ12DN20NS3 G BSZ12DN20NS3GTR-ND BSZ12DN20NS3GCT-ND BSZ12DN20NS3GDKR-ND |
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.