IPB107N20N3GATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 200V 88A D2PAK

НОВА часть #:

312-2283595-IPB107N20N3GATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPB107N20N3GATMA1

Стандартный пакет:

1,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 200 V 88A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PG-TO263-3
Базовый номер продукта	IPB107
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	88A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.7mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 270µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	87 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	7100 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	300W (Tc)
Другие имена	IPB107N20N3 G IPB107N20N3GATMA1CT IPB107N20N3 GCT IPB107N20N3 GCT-ND IPB107N20N3 GTR-ND IPB107N20N3 G-ND SP000676406 IPB107N20N3 GTR IPB107N20N3 GDKR-ND IPB107N20N3 GDKR IPB107N20N3G IPB107N20N3GATMA1DKR IPB107N20N3GATMA1TR