BSM600C12P3G201

SICFET N-CH 1200V 600A MODULE
Número da pe?a NOVA:
312-2289978-BSM600C12P3G201
Número da pe?a do fabricante:
BSM600C12P3G201
Embalagem padr?o:
4

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N-Channel 1200 V 600A (Tc) 2460W (Tc) Chassis Mount Module

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteRohm Semiconductor
RoHS 1
Temperatura de operação 175°C (TJ)
Tipo de montagemChassis Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor Module
Número do produto base BSM600
TecnologiaSiCFET (Silicon Carbide)
Series-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 600A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 182mA
Recurso FET-
Pacote / EstojoModule
Vgs (Máx.)+22V, -4V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)1200 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 28000 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.) 2460W (Tc)

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