BSM600D12P3G001

1200V, 576A, HALF BRIDGE, FULL S
Número da pe?a NOVA:
303-2250944-BSM600D12P3G001
Número da pe?a do fabricante:
BSM600D12P3G001
Embalagem padr?o:
4

Formato de download disponível

Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 600A (Tc) 2450W (Tc) Chassis Mount Module

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Arrays
FabricanteRohm Semiconductor
RoHS 1
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemChassis Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor Module
Número do produto base BSM600
Pacote / EstojoModule
Series-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 600A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 182mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs -
Recurso FETSilicon Carbide (SiC)
Tipo FET2 N-Channel (Half Bridge)
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)1200V (1.2kV)
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 31000pF @ 10V
Potência - Máx. 2450W (Tc)
Outros nomes846-BSM600D12P3G001

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