BSM180C12P3C202

SICFET N-CH 1200V 180A MODULE
Número da pe?a NOVA:
312-2275707-BSM180C12P3C202
Número da pe?a do fabricante:
BSM180C12P3C202
Embalagem padr?o:
12

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N-Channel 1200 V 180A (Tc) 880W (Tc) Chassis Mount Module

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteRohm Semiconductor
RoHS 1
Temperatura de operação -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemChassis Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor Module
Número do produto base BSM180
TecnologiaSiCFET (Silicon Carbide)
Series-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 180A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)-
Rds On (Max) @ Id, Vgs -
Vgs(th) (Max) @ Id 5.6V @ 50mA
Recurso FET-
Pacote / EstojoModule
Vgs (Máx.)+22V, -4V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)1200 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 9000 pF @ 10 V
Dissipação de energia (máx.) 880W (Tc)
Outros nomes846-BSM180C12P3C202

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