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N-Channel 40 V 660A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | IXYS | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Chassis Mount | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | SOT-227B | |
Número do produto base | IXTN660 | |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | |
Series | Trench | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 660A (Tc) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 0.85mOhm @ 100A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 860 nC @ 10 V | |
Recurso FET | Current Sensing | |
Pacote / Estojo | SOT-227-4, miniBLOC | |
Vgs (Máx.) | ±15V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 40 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 44000 pF @ 25 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 1040W (Tc) |
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