TP65H070LSG-TR

GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
Número da pe?a NOVA:
312-2283657-TP65H070LSG-TR
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TP65H070LSG-TR
Embalagem padr?o:
500

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N-Channel 650 V 25A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteTransphorm
RoHS 1
EmbalagemTape & Reel (TR)
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor 3-PQFN (8x8)
TecnologiaGaNFET (Gallium Nitride)
SeriesTP65H070L
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 25A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 85mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.8V @ 700µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9.3 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / Estojo3-PowerDFN
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 600 pF @ 400 V
Dissipação de energia (máx.) 96W (Tc)
Outros nomes1707-TP65H070LSG-CT
1707-TP65H070LSG-DKR
1707-TP65H070LSG-TR

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