TP65H035WS

GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3
Número da pe?a NOVA:
312-2265017-TP65H035WS
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TP65H035WS
Embalagem padr?o:
30
Ficha técnica:

Formato de download disponível

N-Channel 650 V 46.5A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-247-3

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteTransphorm
RoHS 1
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemThrough Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor TO-247-3
Número do produto base TP65H035
TecnologiaGaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Series-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 46.5A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)12V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 41mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.8V @ 1mA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 36 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / EstojoTO-247-3
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 1500 pF @ 400 V
Dissipação de energia (máx.) 156W (Tc)

In stock Entre em contato conosco.

N?o é o pre?o que você quer? Por favor, preencha o formulário e entraremos em contato o mais breve possível.

Encontramos outros produtos que você pode gostar!