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N-Channel 650 V 47.2A (Tc) 187W (Tc) Through Hole TO-247-3
Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
Fabricante | Transphorm | |
RoHS | 1 | |
Temperatura de operação | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Tipo de montagem | Through Hole | |
Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-247-3 | |
Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) | |
Series | * | |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 47.2A (Tc) | |
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 41mOhm @ 30A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 1mA | |
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 22 nC @ 10 V | |
Recurso FET | - | |
Pacote / Estojo | TO-247-3 | |
Vgs (Máx.) | ±20V | |
Tipo FET | N-Channel | |
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1500 pF @ 400 V | |
Dissipação de energia (máx.) | 187W (Tc) | |
Outros nomes | 1707-TP65H035G4WSQA |
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