Alumínio águia Okad Forro Kikard 
TP65H050WS
GANFET N-CH 650V 34A TO247-3
Número da pe?a NOVA:
312-2264999-TP65H050WS
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TP65H050WS
Embalagem padr?o:
30
Ficha técnica:
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N-Channel 650 V 34A (Tc) 119W (Tc) Through Hole TO-247-3
| Categoria | Transistores - FETs, MOSFETs - Simples | |
| Fabricante | Transphorm | |
| RoHS | 1 | |
| Temperatura de operação | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Tipo de montagem | Through Hole | |
| Pacote de dispositivos do fornecedor | TO-247-3 | |
| Número do produto base | TP65H050 | |
| Tecnologia | GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET) | |
| Series | - | |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C | 34A (Tc) | |
| Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On) | 12V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 22A, 10V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.8V @ 700µA | |
| Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 24 nC @ 10 V | |
| Recurso FET | - | |
| Pacote / Estojo | TO-247-3 | |
| Vgs (Máx.) | ±20V | |
| Tipo FET | N-Channel | |
| Dreno para Tensão da Fonte (Vdss) | 650 V | |
| Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 1000 pF @ 400 V | |
| Dissipação de energia (máx.) | 119W (Tc) |
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