TP65H150LSG

GANFET N-CH 650V 15A 3PQFN
Número da pe?a NOVA:
312-2312403-TP65H150LSG
Fabricante:
Número da pe?a do fabricante:
TP65H150LSG
Embalagem padr?o:
60
Ficha técnica:

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N-Channel 650 V 15A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount 3-PQFN (8x8)

More Information
CategoriaTransistores - FETs, MOSFETs - Simples
FabricanteTransphorm
RoHS 1
Temperatura de operação -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagemSurface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor 3-PQFN (8x8)
TecnologiaGaNFET (Gallium Nitride)
Series-
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25°C 15A (Tc)
Tensão do Drive (Max Rds On, Min Rds On)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4.8V @ 500µA
Carga do Gate (Qg) (Max) @ Vgs 7.1 nC @ 10 V
Recurso FET-
Pacote / Estojo3-PowerDFN
Vgs (Máx.)±20V
Tipo FETN-Channel
Dreno para Tensão da Fonte (Vdss)650 V
Capacitância de entrada (Ciss) (Max) @ Vds 576 pF @ 400 V
Dissipação de energia (máx.) 69W (Tc)
Outros nomes1707-TP65H150LSG

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