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N-Channel 100 V 63A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8-1 | |
Numéro de produit de base | BSC109 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | OptiMOS™ | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 63A (Tc) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.9mOhm @ 46A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 45µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 35 nC @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | 8-PowerTDFN | |
Vg (Max) | ±20V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2500 pF @ 50 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 78W (Tc) | |
Autres noms | BSC109N10NS3 G-ND BSC109N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC109N10NS3 GCT-ND BSC109N10NS3GATMA1TR BSC109N10NS3 G SP000778132 BSC109N10NS3 GDKR BSC109N10NS3 GDKR-ND BSC109N10NS3GATMA1DKR-NDTR-ND BSC109N10NS3G BSC109N10NS3 GCT BSC109N10NS3GATMA1CT BSC109N10NS3GATMA1DKR BSC109N10NS3GXT BSC109N10NS3 GTR-ND |
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