BSC098N10NS5ATMA1

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MOSFET N-CH 100V 60A TDSON

NOVA partie #:

312-2282827-BSC098N10NS5ATMA1

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

BSC098N10NS5ATMA1

Paquet Standard:

5,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

N-Channel 100 V 60A (Tc) 2.5W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TDSON-8-7
Numéro de produit de base	BSC098
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	60A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.8V @ 36µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	28 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerTDFN
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2100 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (maximale)	2.5W (Ta), 69W (Tc)
Autres noms	BSC098N10NS5ATMA1CT BSC098N10NS5ATMA1DKR BSC098N10NS5ATMA1TR SP001241598 BSC098N10NS5ATMA1-ND