BSC196N10NSGATMA1

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MOSFET N-CH 100V 8.5A/45A TDSON

NOVA partie #:

312-2263414-BSC196N10NSGATMA1

Fabricant::

Pièce de fabricant non:

BSC196N10NSGATMA1

Paquet Standard:

5,000

Fiche technique:

Format de téléchargement disponible

aigle

OrCad

N-Channel 100 V 8.5A (Ta), 45A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

More Information
Catégorie de produits	Transistors - FET, MOSFET - Unique
Fabricant:	Infineon Technologies
RoHS	1
emballage	Tape & Reel (TR)
Température de fonctionnement	-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage	Surface Mount
Ensemble d'appareils du fournisseur	PG-TDSON-8-1
Numéro de produit de base	BSC196
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Série	OptiMOS™
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C	8.5A (Ta), 45A (Tc)
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	19.6mOhm @ 45A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 42µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	34 nC @ 10 V
Fonction FET	-
Paquet/caisse	8-PowerTDFN
Vg (Max)	±20V
Type FET	N-Channel
Tension drain à source (Vdss)	100 V
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	2300 pF @ 50 V
Dissipation de puissance (maximale)	78W (Tc)
Autres noms	BSC196N10NSGATMA1TR BSC196N10NSGATMA1DKR SP000379604 BSC196N10NS GTR-ND BSC196N10NS GCT BSC196N10NS GDKR BSC196N10NS GDKR-ND BSC196N10NSG BSC196N10NS GCT-ND BSC196N10NSGATMA1CT BSC196N10NS G-ND BSC196N10NS G