Format de téléchargement disponible
S’il vous pla?t remplir vos informations dans le formulaire, nous vous contacterons et vous donner le modèle cad dès que possible.
N-Channel 100 V 8.8A (Ta), 42A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Catégorie de produits | Transistors - FET, MOSFET - Unique | |
Fabricant: | Infineon Technologies | |
RoHS | 1 | |
emballage | Tape & Reel (TR) | |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Type de montage | Surface Mount | |
Ensemble d'appareils du fournisseur | PG-TDSON-8-1 | |
Numéro de produit de base | BSC160 | |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) | |
Série | OptiMOS™ | |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 8.8A (Ta), 42A (Tc) | |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 6V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 16mOhm @ 33A, 10V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 3.5V @ 33µA | |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 25 nC @ 10 V | |
Fonction FET | - | |
Paquet/caisse | 8-PowerTDFN | |
Vg (Max) | ±20V | |
Type FET | N-Channel | |
Tension drain à source (Vdss) | 100 V | |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1700 pF @ 50 V | |
Dissipation de puissance (maximale) | 60W (Tc) | |
Autres noms | BSC160N10NS3 G-ND BSC160N10NS3 G BSC160N10NS3 GINDKR-ND SP000482382 BSC160N10NS3GATMA1DKR BSC160N10NS3GATMA1CT BSC160N10NS3 GINDKR BSC160N10NS3G BSC160N10NS3GATMA1DKR-NDTR-ND BSC160N10NS3 GINTR-ND BSC160N10NS3 GINCT-ND BSC160N10NS3 GINCT BSC160N10NS3GATMA1TR BSC160N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND |
Pas le prix que vous voulez? Remplissez les formulaires et nous vous contacterons dès que possible.