BSC190N12NS3GATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 120V 8.6A/44A TDSON

قسمت # NOVA:

312-2282860-BSC190N12NS3GATMA1

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

BSC190N12NS3GATMA1

بسته استاندارد:

5,000

برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

N-Channel 120 V 8.6A (Ta), 44A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PG-TDSON-8-1
شماره محصول پایه	BSC190
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	OptiMOS™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	8.6A (Ta), 44A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	19mOhm @ 39A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	4V @ 42µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	34 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerTDFN
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	120 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	2300 pF @ 60 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	69W (Tc)
نامهای دیگر	BSC190N12NS3 GCT-ND BSC190N12NS3 GCT BSC190N12NS3 GDKR-ND BSC190N12NS3 GTR-ND BSC190N12NS3GATMA1TR SP000652752 BSC190N12NS3 G BSC190N12NS3 GTR BSC190N12NS3GATMA1DKR-NDTR-ND BSC190N12NS3GATMA1DKR BSC190N12NS3G BSC190N12NS3GATMA1CT BSC190N12NS3 GDKR BSC190N12NS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC190N12NS3 G-ND