BSC160N10NS3GATMA1

MOSFET N-CH 100V 8.8A/42A TDSON
قسمت # NOVA:
312-2281365-BSC160N10NS3GATMA1
شماره قطعه سازنده:
BSC160N10NS3GATMA1
بسته استاندارد:
5,000
برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

N-Channel 100 V 8.8A (Ta), 42A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

More Information
دسته بندیترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازندهInfineon Technologies
RoHS 1
بسته بندیTape & Reel (TR)
دمای عملیاتی -55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصبSurface Mount
بسته دستگاه تامین کننده PG-TDSON-8-1
شماره محصول پایه BSC160
فن آوریMOSFET (Metal Oxide)
سلسلهOptiMOS™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C 8.8A (Ta), 42A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)6V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs 16mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID 3.5V @ 33µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs 25 nC @ 10 V
ویژگی FET-
بسته / مورد8-PowerTDFN
Vgs (حداکثر)±20V
نوع FETN-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)100 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds 1700 pF @ 50 V
اتلاف نیرو (حداکثر) 60W (Tc)
نامهای دیگرBSC160N10NS3 G-ND
BSC160N10NS3 G
BSC160N10NS3 GINDKR-ND
SP000482382
BSC160N10NS3GATMA1DKR
BSC160N10NS3GATMA1CT
BSC160N10NS3 GINDKR
BSC160N10NS3G
BSC160N10NS3GATMA1DKR-NDTR-ND
BSC160N10NS3 GINTR-ND
BSC160N10NS3 GINCT-ND
BSC160N10NS3 GINCT
BSC160N10NS3GATMA1TR
BSC160N10NS3GATMA1CT-NDTR-ND

In stock لطفا با ما تماس بگیرید

Whatsapp

قیمتی که می خواهید نیست؟ فرم ها را پر کنید و ما در اسرع وقت با شما تماس خواهیم گرفت.

ما محصولات دیگری را پیدا کردیم که ممکن است دوست داشته باشید!