BSC123N08NS3GATMA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 80V 11A/55A TDSON

قسمت # NOVA:

312-2282245-BSC123N08NS3GATMA1

سازنده:

شماره قطعه سازنده:

BSC123N08NS3GATMA1

بسته استاندارد:

5,000

برگه اطلاعات فنی:

فرمت دانلود موجود

N-Channel 80 V 11A (Ta), 55A (Tc) 2.5W (Ta), 66W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

More Information
دسته بندی	ترانزیستور - FET، ماسفت - تک
سازنده	Infineon Technologies
RoHS	1
بسته بندی	Tape & Reel (TR)
دمای عملیاتی	-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع نصب	Surface Mount
بسته دستگاه تامین کننده	PG-TDSON-8-1
شماره محصول پایه	BSC123
فن آوری	MOSFET (Metal Oxide)
سلسله	OptiMOS™
جریان - تخلیه مداوم (Id) @ 25°C	11A (Ta), 55A (Tc)
ولتاژ درایو (حداکثر Rds روشن، حداقل Rds روشن)	6V, 10V
Rds روشن (حداکثر) @ ID، Vgs	12.3mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (حداکثر) @ ID	3.5V @ 33µA
شارژ دروازه (Qg) (حداکثر) @ Vgs	25 nC @ 10 V
ویژگی FET	-
بسته / مورد	8-PowerTDFN
Vgs (حداکثر)	±20V
نوع FET	N-Channel
تخلیه به ولتاژ منبع (Vdss)	80 V
ظرفیت ورودی (Ciss) (حداکثر) @ Vds	1870 pF @ 40 V
اتلاف نیرو (حداکثر)	2.5W (Ta), 66W (Tc)
نامهای دیگر	BSC123N08NS3GATMA1CT-NDTR-ND BSC123N08NS3 GTR-ND BSC123N08NS3GATMA1TR BSC123N08NS3 GTR BSC123N08NS3G BSC123N08NS3 GDKR BSC123N08NS3 GCT-ND BSC123N08NS3 G-ND BSC123N08NS3 GCT BSC123N08NS3 G BSC123N08NS3GATMA1CT BSC123N08NS3 GDKR-ND BSC123N08NS3GATMA1DKR-NDTR-ND SP000443916 BSC123N08NS3GATMA1DKR