IPD60R360P7ATMA1

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MOSFET N-CH 600V 9A TO252-3

NOVA-Teilenummer:

312-2263560-IPD60R360P7ATMA1

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

IPD60R360P7ATMA1

Standardpaket:

2,500

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 600 V 9A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TO252-3
Basisproduktnummer	IPD60R360
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	CoolMOS™ P7
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	9A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	360mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 140µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 10 V
FET-Funktion	-
Paket/Koffer	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)	±20V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	555 pF @ 400 V
Verlustleistung (max.)	41W (Tc)
Andere Namen	2156-IPD60R360P7ATMA1 SP001606048 IPD60R360P7ATMA1CT IPD60R360P7ATMA1DKR IPD60R360P7ATMA1TR IFEINFIPD60R360P7ATMA1