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N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | Transphorm | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C | |
Befestigungsart | Through Hole | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-220AB | |
Technologie | GaNFET (Gallium Nitride) | |
Serie | - | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 20A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 130mOhm @ 13A, 8V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.6V @ 300µA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 14 nC @ 8 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-220-3 | |
Vgs (Max) | ±18V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 650 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 760 pF @ 400 V | |
Verlustleistung (max.) | 96W (Tc) |
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