TPH3208PD

GANFET N-CH 650V 20A TO220AB
NOVA-Teilenummer:
312-2312386-TPH3208PD
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
TPH3208PD
Standardpaket:
50
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 650 V 20A (Tc) 96W (Tc) Through Hole TO-220AB

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerTransphorm
RoHS 1
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C
BefestigungsartThrough Hole
Gerätepaket des Lieferanten TO-220AB
TechnologieGaNFET (Gallium Nitride)
Serie-
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 20A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 130mOhm @ 13A, 8V
Vgs(th) (Max) @ Id 2.6V @ 300µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 8 V
FET-Funktion-
Paket/KofferTO-220-3
Vgs (Max)±18V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)650 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 760 pF @ 400 V
Verlustleistung (max.) 96W (Tc)

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