Bitte geben Sie Ihre Daten in das Formular ein. Wir werden uns schnellstmöglich mit Ihnen in Verbindung setzen und Ihnen das CAD-Modell zukommen lassen.
N-Channel 1700 V 3A (Tc) 54W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | GeneSiC Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-263-7 | |
Basisproduktnummer | G2R1000 | |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
Serie | G2R™ | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 3A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 20V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.2Ohm @ 2A, 20V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 2mA | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
Vgs (Max) | +20V, -10V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1700 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 139 pF @ 1000 V | |
Verlustleistung (max.) | 54W (Tc) | |
Andere Namen | 1242-G2R1000MT17J |
Nicht der gewünschte Preis? Füllen Sie die Formulare aus und wir werden uns so schnell wie möglich mit Ihnen in Verbindung setzen.