STD6N65M2

MOSFET N-CH 650V 4A DPAK
NOVA-Teilenummer:
312-2275063-STD6N65M2
Hersteller-Teile-Nr:
STD6N65M2
Standardpaket:
2,500
Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 650 V 4A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK

More Information
KategorieTransistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
HerstellerSTMicroelectronics
RoHS 1
VerpackungTape & Reel (TR)
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)
BefestigungsartSurface Mount
Gerätepaket des Lieferanten DPAK
Basisproduktnummer STD6N65
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
SerieMDmesh™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C 4A (Tc)
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein)10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.35Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs 9.8 nC @ 10 V
FET-Funktion-
Paket/KofferTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Vgs (Max)±25V
FET-TypN-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)650 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds 226 pF @ 100 V
Verlustleistung (max.) 60W (Tc)
Andere Namen497-15049-6
497-15049-1
497-15049-2

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