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N-Channel 1200 V 42A (Tc) 224W (Tc) Surface Mount TO-263-7
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | GeneSiC Semiconductor | |
RoHS | 1 | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | TO-263-7 | |
Basisproduktnummer | G3R75 | |
Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
Serie | G3R™ | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 42A (Tc) | |
Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 15V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 90mOhm @ 20A, 15V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 2.69V @ 7.5mA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 54 nC @ 15 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
Vgs (Max) | ±15V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 1560 pF @ 800 V | |
Verlustleistung (max.) | 224W (Tc) | |
Andere Namen | 1242-G3R75MT12J |
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