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N-Channel 1200 V 28.8A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D2PAK-7
Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
Hersteller | UnitedSiC | |
RoHS | 1 | |
Verpackung | Tape & Reel (TR) | |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Befestigungsart | Surface Mount | |
Gerätepaket des Lieferanten | D2PAK-7 | |
Basisproduktnummer | UF3C120080 | |
Technologie | SiCFET (Cascode SiCJFET) | |
Serie | - | |
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 28.8A (Tc) | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105mOhm @ 20A, 12V | |
Vgs(th) (Max) @ Id | 6V @ 10mA | |
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 23 nC @ 12 V | |
FET-Funktion | - | |
Paket/Koffer | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
Vgs (Max) | ±25V | |
FET-Typ | N-Channel | |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1200 V | |
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 754 pF @ 100 V | |
Verlustleistung (max.) | 190W (Tc) | |
Andere Namen | 2312-UF3C120080B7STR 2312-UF3C120080B7SCT 2312-UF3C120080B7SDKR |
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