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G2R120MT33J
SIC MOSFET N-CH TO263-7
NOVA-Teilenummer:
312-2283966-G2R120MT33J
Hersteller:
Hersteller-Teile-Nr:
G2R120MT33J
Standardpaket:
50
Technisches Datenblatt:
Verfügbares Downloadformat
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N-Channel 3300 V 35A - Surface Mount TO-263-7
| Kategorie | Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln | |
| Hersteller | GeneSiC Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Befestigungsart | Surface Mount | |
| Gerätepaket des Lieferanten | TO-263-7 | |
| Basisproduktnummer | G2R120 | |
| Technologie | SiCFET (Silicon Carbide) | |
| Serie | G2R™ | |
| Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C | 35A | |
| Antriebsspannung (Max. Rds Ein, Min. Rds Ein) | 20V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 156mOhm @ 20A, 20V | |
| Vgs(th) (Max) @ Id | - | |
| Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs | 145 nC @ 20 V | |
| FET-Funktion | - | |
| Paket/Koffer | TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA | |
| Vgs (Max) | +25V, -10V | |
| FET-Typ | N-Channel | |
| Drain-Source-Spannung (Vdss) | 3300 V | |
| Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds | 3706 pF @ 1000 V | |
| Verlustleistung (max.) | - | |
| Andere Namen | 1242-G2R120MT33J |
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