IMBG120R220M1HXTMA1

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SICFET N-CH 1.2KV 13A TO263

NOVA-Teilenummer:

312-2278612-IMBG120R220M1HXTMA1

Hersteller:

Hersteller-Teile-Nr:

IMBG120R220M1HXTMA1

Standardpaket:

1,000

Technisches Datenblatt:

Verfügbares Downloadformat

N-Channel 1200 V 13A (Tc) 83W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12

More Information
Kategorie	Transistoren – FETs, MOSFETs – einzeln
Hersteller	Infineon Technologies
RoHS	1
Verpackung	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart	Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten	PG-TO263-7-12
Basisproduktnummer	IMBG120
Technologie	SiCFET (Silicon Carbide)
Serie	CoolSiC™
Strom – kontinuierlicher Abfluss (Id) bei 25 °C	13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	294mOhm @ 4A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id	5.7V @ 1.6mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs	9.4 nC @ 18 V
FET-Funktion	Standard
Paket/Koffer	TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA
Vgs (Max)	+18V, -15V
FET-Typ	N-Channel
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Eingangskapazität (Ciss) (Max) bei Vds	312 pF @ 800 V
Verlustleistung (max.)	83W (Tc)
Andere Namen	448-IMBG120R220M1HXTMA1TR SP004463796 448-IMBG120R220M1HXTMA1CT 448-IMBG120R220M1HXTMA1DKR