SI4100DY-T1-GE3

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 6.8A 8SO

НОВА часть #:

312-2287828-SI4100DY-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI4100DY-T1-GE3

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 100 V 6.8A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Базовый номер продукта	SI4100
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	6.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	63mOhm @ 4.4A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	20 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	600 pF @ 50 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta), 6W (Tc)
Другие имена	SI4100DYT1GE3 SI4100DY-T1-GE3DKR SI4100DY-T1-GE3-ND SI4100DY-T1-GE3CT SI4100DY-T1-GE3TR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!