Пожалуйста, заполните вашу информацию в форме, мы свяжемся с вами и предоставим вам модель CAD как можно скорее.
N-Channel 100 V 6.8A (Tc) 2.5W (Ta), 6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
Производитель | Vishay Siliconix | |
RoHS | 1 | |
Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Тип крепления | Surface Mount | |
Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
Базовый номер продукта | SI4100 | |
Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
Ряд | TrenchFET® | |
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6.8A (Tc) | |
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 6V, 10V | |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 63mOhm @ 4.4A, 10V | |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250µA | |
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 20 nC @ 10 V | |
Полевой транзистор | - | |
Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
VGS (макс.) | ±20V | |
Тип полевого транзистора | N-Channel | |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 600 pF @ 50 V | |
Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 6W (Tc) | |
Другие имена | SI4100DY-T1-E3DKR SI4100DY-T1-E3TR SI4100DY-T1-E3-ND SI4100DY-T1-E3CT SI4100DYT1E3 |
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.