IRF7473TRPBF

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

MOSFET N-CH 100V 6.9A 8SO

НОВА часть #:

312-2288094-IRF7473TRPBF

Производитель:

Номер детали производителя:

IRF7473TRPBF

Стандартный пакет:

4,000

Технический паспорт:

Доступный формат загрузки

Кикад

N-Channel 100 V 6.9A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SO
Базовый номер продукта	IRF7473
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	HEXFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	6.9A (Ta)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	26mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	5.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	61 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	100 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	3180 pF @ 25 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	2.5W (Ta)
Другие имена	IRF7473PBFDKR SP001555418 IRF7473TRPBFTR-ND *IRF7473TRPBF IRF7473TRPBF-ND IRF7473PBFCT IRF7473PBFTR